Обеспечение режима работы с помощью автономного источника питания и делителя напряжения

Введение

Для нормальной работы биполярного транзистора необходимо подключить напряжение питания \(E_п\) и при отсутствии входного сигнала установить на его электродах определенные токи и напряжения. Такой режим работы транзистора называется статическим (режимом по постоянному току, или режимом покоя).

Способы обеспечения статического режима работы транзистора

Для обеспечения статического режима работы транзистора используются три основных способа:

  • с помощью автономного источника питания;
  • с помощью делителя напряжения;
  • с помощью отрицательных обратных связей.

Обеспечение статического режима работы транзистора с помощью автономного источника питания

На рис. 1 приведена схема усилителя на биполярном транзисторе \(n\)-\(p\)-\(n\)-типа, включенного по схеме с общим эмиттером, в котором статический режим работы обеспечивается с помощью автономного источника питания.

Главная особенность этой схемы заключается в использовании отдельного источника питания (\(E_{см}\)), включенного во входной контур биполярного транзистора, для обеспечения статического режима работы транзистора.

Рис. 1. Схема усилителя с автономным источником питания

Достоинства и недостатки

Достоинство данного способа — возможность изменяя величину \(E_{см}\) обеспечить любой режим работы транзистора:

  • режим отсечки (НЗС);
  • активный режим (ЛР);
  • режим насыщения (НОС).

Недостаток данного способа — обеспечение режима работы требует наличия дополнительного источника питания. Поэтому он находит ограниченное применение, как в аналоговой, так и цифровой схемотехнике.

По этой причине рассмотрим более подробно второй и третий способы.

Обеспечение статического режима работы транзистора с помощью делителя напряжения

Особенность данного способа заключается в том, что для обеспечения статического режима работы транзистора используется только один источник питания \(E_п\). Существует две схемы, реализующие данный способ, — с фиксацией напряжения на базе (рис. 2, \(а\)) и с фиксацией тока базы (рис. 2, \(б\)).

Рис. 2. Схемы с делителем напряжения

\(а\) — с фиксацией напряжения на базе; \(б\) — с фиксацией тока базы

Схема с фиксацией напряжения на базе транзистора

Определить ток и падение напряжения на транзисторе (а тем самым определить режим работы) можно аналитическим и графоаналитическим методами. Последний метод широко распространен в электронике в связи с тем, что позволяет проводить расчеты с помощью характеристик электронного прибора, которые приведены в справочной литературе.

Методика определения режима работы

Для этой схемы включает в себя следующие пункты:

1. Определение напряжения на базе транзистора

Для определения режима работы транзистора необходимо определить напряжение на базе транзистора \(U_{бэ}\). Для электрической схемы, представленной на рис. 2, \(а\), справедливо следующее соотношение:

\(U_{бэ} = E_п \cdot \frac{R_2}{R_1 + R_2}\)

2. Определение тока базы

По найденному значению напряжения \(U_{бэ}\), используя статическую входную характеристику, определяют величину тока базы \(I_б\) (рис. 3).

Рис. 3. Входная характеристика транзистора

3. Построение нагрузочной прямой и определение тока коллектора

Для нахождения тока коллектора \(I_к\) на семействе выходных характеристик биполярного транзистора (рис. 4) построим график уравнения отрезка прямой \(I_к = (E_п - U_{кэ})/R_н\) по двум точкам:

  • при \(I_к = 0\), \(U_{кэ} = E_п\) — первая точка графика;
  • при \(U_{кэ} = 0\), \(I_к = E_п/R_н\) — вторая точка графика.

Точка пересечения построенной линии (линии нагрузки) с характеристикой, соответствующей току покоя базы, покажет значение тока и напряжения на коллекторе транзистора в статическом режиме.

Рис. 4. Выходные характеристики транзистора

4. Определение режима работы

Таким образом, режим работы транзистора при заданной величине сопротивления резистора \(R_н\) определяется током базы \(I_б\), который в свою очередь зависит от величины сопротивления резисторов \(R_1\) и \(R_2\).

Если ток базы \(I_б > I_{бн}\), то транзистор находится в режиме насыщения (точка Б, рис. 4), если \(I_{бн} > I_б > I_{кбо}\) — в линейном режиме (например точка А, рис. 4).

Пример 1

Используя входную и выходную ВАХ биполярного транзистора (рис. 5), определить напряжение на коллекторе (\(U_{кэ}\)) биполярного транзистора в электрической схеме на рис. 6 и режим работы биполярного транзистора в исходном состоянии, если величина сопротивления резисторов \(R_1\) составляет 30 кОм, и \(R_2\) составляет 1,8 кОм, \(R_к\) составляет 720 Ом.

Рис. 5. Входная и выходная ВАХ транзистора

\(а\) — входная характеристика; \(б\) — выходные характеристики

Рис. 6. Электрическая схема для примера 1

Решение

1. Определение напряжения на базе транзистора \(U_{бэ}\):

\(U_{бэ} = E_п \cdot \frac{R_2}{R_1 + R_2} = 10 \cdot \frac{1.8}{30 + 1.8} = 10 \cdot \frac{1.8}{31.8} \approx 0.57 \, \text{В}\)

2. Определение тока базы \(I_б\):

По найденному значению напряжения \(U_{бэ}\), используя статическую входную характеристику, определяем величину тока базы \(I_б = 0.2 \, \text{мА}\) (рис. 5, \(а\)).

3. Построение нагрузочной прямой:

На семействе выходных характеристик биполярного транзистора (рис. 5, \(б\)) построим график уравнения отрезка прямой \(I_к = (E_п - U_{кэ})/R_н\):

  • при \(I_к = 0\); \(U_{кэ} = E_п = 10 \, \text{В}\) — первая точка графика;
  • при \(U_{кэ} = 0\); \(I_к = E_п/R_к = 14 \, \text{мА}\) — вторая точка графика.

4. Определение координат рабочей точки:

Точка пересечения построенной линии (линии нагрузки) с характеристикой, соответствующей току покоя базы \(I_б = 0.2 \, \text{мА}\), имеет координаты \(I_к = 4.0 \, \text{мА}\), \(U_{кэ} = 7 \, \text{В}\) (рис. 5, \(б\)). Режим работы линейный.

Схема с фиксацией тока базы

Методика определения режима работы для этой схемы включает в себя следующие пункты:

1. Составление уравнений Кирхгофа

Для определения режима работы транзистора необходимо определить ток базы и построить нагрузочную прямую, для чего запишем уравнения Кирхгофа для его входного и выходного контуров:

\(E_п = I_б R_б + U_{бэ}\)
\(E_п = I_к R_к + U_{кэ}\)

2. Решение системы уравнений графоаналитическим методом

Для чего первоначально определяется ток базы покоя \(I_б\).

При \(E_п \gg U_{бэ} > 0\) напряжение между базой и эмиттером для кремниевых биполярных транзисторов можно приближенно считать равным 0,7–0,8 В. Подставляя последнее соотношение в предыдущую систему уравнений и проведя несложные алгебраические преобразования, получим:

\(I_б = \frac{E_п - 0.7}{R_б}\)
\(I_к = \frac{E_п - U_{кэ}}{R_к}\)

При известных значениях \(E_п\) и \(R_1\) ток базы однозначно определяется из первого уравнения.

3. Построение нагрузочной прямой

Для нахождения тока коллектора \(I_к\) на выходной характеристике биполярного транзистора (рис. 7, \(б\)) построим график уравнения \(I_к = (E_п - U_{кэ})/R_н\):

  • при \(I_к = 0\), \(U_{кэ} = E_п\) — первая точка графика;
  • при \(U_{кэ} = 0\), \(I_к = E_п/R_н\) — вторая точка графика.

Точка пересечения построенной линии (линии нагрузки) с характеристикой, соответствующей току покоя базы, покажет точное значение тока и напряжения на коллекторе в статическом режиме.

\(а\) — входная характеристика; \(б\) — выходные характеристики

Рис. 7. Характеристики транзистора для схемы с фиксацией тока базы

Таким образом, при \(E_п > 0\) режим работы транзистора определяется током базы и, следовательно, \(E_п\) и \(R_б\). Если ток базы \(I_б > I_{бн}\), то транзистор находится в режиме насыщения (точка Б на рис. 7, \(б\)), если \(I_{бн} > I_б > I_{кбо}\) — в линейном режиме (например точка А на рис. 7, \(б\)), а если \(I_б < I_{кбо}\) — в режиме отсечки. Однако из-за большого разброса \(I_{кбо}\) и его температурной нестабильности данная схема для обеспечения режима отсечки не применяется.

Если \(E_п\) сравнимо с напряжением \(U_{бэ}\), то ток базы можно найти графоаналитическим методом, построив нагрузочную прямую на входной ВАХ транзистора и определив \(U_{бэ}\) и \(I_б\) (рис. 7, \(а\)).

Проведенный анализ показывает, что рассмотренная электрическая схема позволяет реализовать любой режим работы транзистора:

  • режим отсечки (НЗС);
  • активный режим (ЛР);
  • режим насыщения (НОС).

Пример 2

Используя входную и выходную ВАХ биполярного транзистора (рис. 8), определить ток \(I_к\) и напряжение на коллекторе (\(U_{кэ}\)) биполярного транзистора в электрической схеме на рис. 9 и режим работы биполярного транзистора в исходном состоянии.

Рис. 8. Входная и выходная ВАХ транзистора для примера 2
Рис. 9. Электрическая схема для примера 2

Решение

1. Составление уравнений Кирхгофа

Для определения режима работы транзистора запишем уравнения Кирхгофа для его входного и выходного контуров:

\(E_п = I_б R_1 + U_{бэ}\)
\(E_п = I_к R_к + U_{кэ}\)

2. Решение системы уравнений графоаналитическим методом

Для чего первоначально определяется ток базы покоя \(I_б\):

\(I_б = \frac{E_п - 0.7}{R_1} = \frac{10 - 0.7}{45 \cdot 10^3} = 0.2 \, \text{мА}\)

Для нахождения тока коллектора \(I_к\) на выходной характеристике биполярного транзистора (рис. 8, \(б\)) построим график уравнения \(I_к = (E_п - U_{кэ})/R_н\):

  • при \(I_к = 0\); \(U_{кэ} = E_п = 10 \, \text{В}\) — первая точка графика;
  • при \(U_{кэ} = 0\); \(I_к = E_п/R_к = 14 \, \text{мА}\) — вторая точка графика.

Точка пересечения построенной линии (нагрузочной линии) с характеристикой, соответствующей току базы \(I_б = 0.2 \, \text{мА}\), имеет координаты \(I_к = 4.0 \, \text{мА}\), \(U_{кэ} = 7 \, \text{В}\). Режим работы линейный.

Оцените статью

Не нравится: 0

О ПРОЕКТЕ

hadros.ru — образовательный ресурс по электронике и схемотехнике.
Наша цель — создать доступную библиотеку знаний для будущих и действующих специалистов в области электроники и радиотехники.
Для кого наш сайт:
cтудентов средних профессиональных и высших учебных заведений;
преподавателей и научных сотрудников.
Что вы найдете:
подробные материалы по электронике и схемотехнике специальных радиотехнических систем;
достоверную информацию в текстовом и графическом виде;
понятные объяснения сложных тем — от основ до углубленных разделов.
Наш принцип: знания должны быть открытыми, структурированными и полезными для реальной работы и учебы.